今日、こんな記事を見つけました。
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20051130/111238/

これが商品化されたら
１．背面照射CMOS→井戸の極めて浅いCMOSが実現できる可能性があります。→入射角の広い撮像素子→大サイズ化が可能→DXフォーマット→Fullサイズ以上への可能性
Fullサイズ化には露光装置の問題もあるのでしょうけれど・・・

２．照度範囲200dB=ダイナミックレンジ200dBとすると
現行のCMOSやCCDが広くても60〜80dB程度とすると、まさに夢のCMOSとなります。
フィルムのダイナミックレンジは愚か、白トビのほとんど無いCMOS撮像素子とすることが可能かも知れません。
6dB=1段なので200dB/6dB=約33段分のダイナミックレンジ相当です。

皆様のご意見をお聞かせ頂ければ幸いです。

確かに夢のような撮像素子ですね。
将来が楽しみです。
それにしても、なんで今、、インターレーススキャンのCCDだったんでしょうね。
そこ一つとっても、謎です。

背面照射ＣＣＤなら既にありますが、特殊な製造工程（CCDを十数μまで薄く切削）の為、高価。主に天文台等で使用。アマチュア向けとしてはApogee社のが有名ですが、100万円以上です。　
ISSCC2006では、SONYの爆速読み出しCMOSも後段のバッファーメモリの金額を考えれば、高速度撮影カメラ用とか、高額商品への搭載。いずもD-SLRへの搭載は数年先までは可能性は、限りなく0%だと思いますね。 残念ながら。

セッション-27.
http://www.isscc.org/isscc/2006/ap/2006_AP_Final.pdf

mkさん、ウェイリーさん、レスありがとうございます。
未だ研究室レベルかもしれませんが、ソニーの商品開発力はすさまじい物が有ると思いますし、「CMOS撮像素子はソニーが引っ張る」との意気込みも聞かれていますので
期待して待っていようと思います。

背面照射になるとローパスやマイクロレンズが不要になって、赤外カットフィルターのみになるとすると、
その赤外カットフィルターへ直接Siエピ成長させて、そこにPhotダイオードやTr素子を形成し、その上に配線をするなんて事は出来ない物でしょうか？
半導体は素人なので、専門家からすればむちゃくちゃ理論かもしれませんが
昔、サファイヤ基板へエピ成長させた半導体素子があること聴いたことがあったので
もしやと思っています。